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Patent Name:電極材料和其花瓣?duì)疃嗫捉Y(jié)構(gòu)鐵基復(fù)合氧化物及其制備方法

Patent Number:2018101892589

Place of Registration:中國

Type:機(jī)械

Class:機(jī)械

Contacts:溫建梅
Contact Information:020-38743199
Patent Profile:
當(dāng)前權(quán)利人：華南師范大學(xué)
本發(fā)明公開一種電極材料和其花瓣?duì)疃嗫捉Y(jié)構(gòu)鐵基復(fù)合氧化物及其制備方法，本發(fā)明主要應(yīng)用于鋰離子電池負(fù)極材料領(lǐng)域。其特色在于利用乙二醇、尿素和十二烷基磺酸鈉控制水解過程進(jìn)一步形成特殊形貌。以TiO2納米顆粒和FeCl2·4H2O為主要原料，通過一步水熱生長和煅燒制備出花瓣?duì)疃嗫捉Y(jié)構(gòu)鐵基復(fù)合氧化物。并且本發(fā)明原料成本低廉，且制備工藝簡單、節(jié)能環(huán)保、易于大規(guī)模，最為重要的是所述花瓣?duì)疃嗫捉Y(jié)構(gòu)鐵基復(fù)合氧化物作為鋰離子電池負(fù)極材料性能優(yōu)異。

Patent Name:多光譜光聲和光學(xué)相干層析雙模態(tài)成像裝置及方法

Patent Number:2018100289772

Place of Registration:中國

Type:機(jī)械

Class:機(jī)械

Contacts:溫建梅
Contact Information:020-38743199
Patent Profile:
當(dāng)前權(quán)利人：華南師范大學(xué)
本發(fā)明公開了一種多光譜光聲和光學(xué)相干層析雙模態(tài)成像裝置及方法，所述裝置包括多光譜光聲/光學(xué)相干層析的激發(fā)光源、二向色鏡組件、掃描頭組件、光聲信號檢測組件、干涉信號檢測組件以及信號采集/處理組件；所述光聲信號檢測組件和干涉信號檢測組件分別與信號采集/處理組件相連，所述掃描頭組件位于樣品的正上方，并與信號采集/處理組件相連，所述光聲信號檢測組件位于樣品的正下方，所述二向色鏡組件分別與干涉信號檢測組件、掃描頭組件相連，所述激發(fā)光源由一個(gè)超連續(xù)譜激光器產(chǎn)生，并通過濾波器與二向色鏡組件相連，所述濾波器具有可調(diào)節(jié)性。本發(fā)明搭建了一個(gè)雙模態(tài)互補(bǔ)成像的系統(tǒng)，在一定程度上推動(dòng)了互補(bǔ)成像的臨床發(fā)展。

Patent Name:一種硅基光柵耦合器及其制作方法

Patent Number:2015107181411

Place of Registration:中國

Type:機(jī)械

Class:機(jī)械

Contacts:溫建梅
Contact Information:020-38743199
Patent Profile:
當(dāng)前權(quán)利人：華南師范大學(xué)
本發(fā)明公開了一種硅基光柵耦合器及其制作方法，所述耦合器在光纖與芯片進(jìn)行耦合時(shí)可以直接與芯片垂直耦合，而不必使光纖與芯片垂直方向呈一定角度的偏角。其制作方法是：采用了微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)，將制作有耦合光柵的頂硅層光波導(dǎo)下方的掩埋絕緣體進(jìn)行腐蝕掏空，使硅光波導(dǎo)傾斜并通過靜電吸附力貼合固定到硅襯底上，從而通過在傾斜的硅光波導(dǎo)上制作耦合光柵，實(shí)現(xiàn)硅光波導(dǎo)與垂直光纖的耦合。采用這種結(jié)構(gòu)的光柵耦合器與外部光纖進(jìn)行耦合，不僅降低了二階反射，提高了耦合效率，而且由于其制作方法簡單和垂直耦合的特性更加便于芯片的檢測與封裝，便于大規(guī)模集成。