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專利類型:  專利領(lǐng)域:   注 冊 地:
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專利名稱:一種納米級別近場熱輻射高精度測量裝置及測量方法
專利號\申請?zhí)枺?/strong>2019110292757
注 冊 地:中國
專利類型:發(fā)明
專利領(lǐng)域:機(jī)械
聯(lián) 系 人:溫建梅
聯(lián)系方式:020-38743199
簡介說明:
當(dāng)前權(quán)利人:華南師范大學(xué)
本發(fā)明公開了一種納米級別近場熱輻射高精度測量裝置及測量方法,裝置包括真空腔,宏動位移臺、微動位移臺、加熱片、制冷片、L型轉(zhuǎn)接板、第一熱敏電阻和第二熱敏電阻、散熱裝置、偏轉(zhuǎn)臺、外圍電路和恒壓源;所述微動位移臺設(shè)置在宏動位移臺上,利用微動位移臺和宏動位移臺的結(jié)合,實(shí)現(xiàn)1nm到10cm大范圍距離的可控移動,可以測量近場熱輻射更加精準(zhǔn)可以達(dá)到百納米級別,通過實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)170nm的間隙距離測量近場熱輻射量,表面積為5×5mm2,在大平板測量近場熱輻射方面我們做到了最小的間距和更高的熱輻射效率。
專利名稱:一種基于單圖像傳感器同時獲取可見光與近紅外波段的成像裝置及其成像方法
專利號\申請?zhí)枺?/strong>2019109248448
注 冊 地:中國
專利類型:發(fā)明
專利領(lǐng)域:電學(xué)
聯(lián) 系 人:溫建梅
聯(lián)系方式:020-38743199
簡介說明:
當(dāng)前權(quán)利人:華南師范大學(xué)
本發(fā)明涉及一種基于單圖像傳感器同時獲取可見光與近紅外波段的成像裝置及其成像方法,該成像裝置中用于圖像傳感器的彩色濾光片包含有多個濾光片排布單元,其濾光片排布單元在綠色以及近紅外濾光片的抽樣密度達(dá)到3/8,藍(lán)色以及紅色濾光片的抽樣密度達(dá)到1/8時,能夠同時獲取物理反射的可見光以及激發(fā)的近紅外光,獲得了準(zhǔn)確的彩色數(shù)據(jù)。在包含有該彩色綠光片的圖像傳感器前設(shè)置陷波濾波器進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了成像的準(zhǔn)確性。該成像裝置應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像中,實(shí)現(xiàn)了對目標(biāo)組織的高靈敏度。
專利名稱:一種受激輻射損耗方法、超分辨成像方法及顯微成像裝置
專利號\申請?zhí)枺?/strong>201611142884X
注 冊 地:中國
專利類型:發(fā)明
專利領(lǐng)域:電學(xué)
聯(lián) 系 人:溫建梅
聯(lián)系方式:020-38743199
簡介說明:
當(dāng)前權(quán)利人:華南師范大學(xué)
本發(fā)明公開了一種受激輻射損耗方法、超分辨成像方法及顯微成像裝置。所述受激輻射損耗方法利用近紅外光在稀土摻雜上轉(zhuǎn)換納米材料的激活劑中引起受激輻射,使涉及上轉(zhuǎn)換過程的一個或多個特定能級粒子受迫躍遷至低能級,從而實(shí)現(xiàn)對上轉(zhuǎn)換納米材料上轉(zhuǎn)換發(fā)光的高效率光控?fù)p耗。基于該受激輻射損耗方法,提出將近紅外損耗光利用空間相位調(diào)制板調(diào)制為空心光束,與激發(fā)光束進(jìn)行準(zhǔn)直共軛聚焦后實(shí)現(xiàn)對稀土摻雜上轉(zhuǎn)換納米材料及其標(biāo)記樣品的超分辨成像;谠摮直娉上穹椒,搭建由激發(fā)光生成模塊、損耗光生成模塊、偏振分光棱鏡、多光子顯微掃描模塊和光電探測模塊組成的顯微成像裝置,獲得低成本、低復(fù)雜度、高分辨率、簡便、有效的實(shí)時動態(tài)三維圖像。
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