Patent Name:晶體硅太陽(yáng)能電池柵狀陣列電極及其制備方法與應(yīng)用
Patent Number:2012100378105
Place of Registration:中國(guó)
Type:機(jī)械
Class:機(jī)械
Contacts:溫建梅
Contact Information:020-38743199
Patent Profile:
當(dāng)前權(quán)利人:華南師范大學(xué)
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶體硅太陽(yáng)能電池柵狀陣列電極及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明通過(guò)將含有金屬底層的半導(dǎo)體晶體硅片置于鍍液中,含有金屬底層的半導(dǎo)體晶體硅片的背電極通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)與鉑片連接,其前電極被光源進(jìn)行照射,進(jìn)行光誘導(dǎo)沉積;將光誘導(dǎo)沉積的半導(dǎo)體晶體硅用水沖洗,接著將表面處理劑附著于半導(dǎo)體晶體硅上;然后清洗、烘干,得到晶體硅太陽(yáng)能電池柵狀陣列電極。本發(fā)明所提供的方法簡(jiǎn)單,易掌握,所需設(shè)備少,生產(chǎn)效率較高,成本較低,污染較小,提高了太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效率、工藝簡(jiǎn)單穩(wěn)定;得到的晶體硅太陽(yáng)能電池柵狀陣列電極光亮、均勻、結(jié)合力好,而且槽液容易維護(hù)。本發(fā)明不僅有良好的經(jīng)濟(jì)效益,還有巨大的社會(huì)效益。