專利名稱：晶體硅太陽(yáng)能電池柵狀陣列電極及其制備方法與應(yīng)用
專利號(hào)＼申請(qǐng)?zhí)枺?/strong>2012100378105
注 冊(cè) 地：中國(guó)
專利類型：發(fā)明
專利領(lǐng)域：化學(xué)
聯(lián) 系 人：溫建梅
聯(lián)系方式：020-38743199
簡(jiǎn)介說(shuō)明：
當(dāng)前權(quán)利人：華南師范大學(xué)
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶體硅太陽(yáng)能電池柵狀陣列電極及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明通過(guò)將含有金屬底層的半導(dǎo)體晶體硅片置于鍍液中，含有金屬底層的半導(dǎo)體晶體硅片的背電極通過(guò)導(dǎo)線與鉑片連接，其前電極被光源進(jìn)行照射，進(jìn)行光誘導(dǎo)沉積；將光誘導(dǎo)沉積的半導(dǎo)體晶體硅用水沖洗，接著將表面處理劑附著于半導(dǎo)體晶體硅上；然后清洗、烘干，得到晶體硅太陽(yáng)能電池柵狀陣列電極。本發(fā)明所提供的方法簡(jiǎn)單，易掌握，所需設(shè)備少，生產(chǎn)效率較高，成本較低，污染較小，提高了太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效率、工藝簡(jiǎn)單穩(wěn)定；得到的晶體硅太陽(yáng)能電池柵狀陣列電極光亮、均勻、結(jié)合力好，而且槽液容易維護(hù)。本發(fā)明不僅有良好的經(jīng)濟(jì)效益，還有巨大的社會(huì)效益。